用以改进3D NAND的页尺寸和性能的新型位线架构和方法.pdfVIP

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2023-06-02 发布于四川
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用以改进3D NAND的页尺寸和性能的新型位线架构和方法.pdf

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一种三维存储器包括多个位线、指存储区和多个沟道孔。该位线具有沿第一方向延伸的长度。该指存储区具有由沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第一栅缝隙限定的第一末端；由沿第二方向延伸的第二栅缝隙限定的第二末端；以及沿第一方向在第一末端与第二末端之间延伸的宽度。该多个沟道孔位于该指存储区处，以及每个沟道孔沿垂直于第一方向和第二方向的每一者的深度方向延伸并且连接至该多个位线中的对应的一个位线。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112585753 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202080003775.8 (51)Int.Cl.