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本发明揭示了一种芯片3D形貌制备方法，所述方法包括：在基底上生长第一介质材料，形成第一介质材料层；在所述第一介质材料层上生长第二介质材料，形成第二介质材料层，所述第二介质材料层包括至少两个第二介质材料层单元；不同第二介质材料层单元具有设定间隔，形成设定间距的隔断；利用高密度等离子体边沉积边刻蚀的工艺特征形成具有设定坡度及高度的高密度等离子体层；在所述高密度等离子体层上生长氧化硅，形成氧化硅层。本发明提出的芯片3D形貌制备方法，可制得的产品具有更好的斜坡面及坡度，提高产品的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582533 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202011310724.8
(22)申请日 2020.11.20
(71)申请人 上海矽睿科技有限公司
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