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一种阵列式表面拉曼增强基底及其制备方法.pdf

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    本发明涉及分子检测材料技术领域，具体涉及一种阵列式表面拉曼增强基底及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：取一范德华层状半导体基底，浸泡于盐溶液或酸溶液中，然后用Zn针碰触范德华层状半导体基底表面1‑5s，然后抬起Zn针，碰触点形成探测单元；然后移动至范德华层状半导体基底表面的另一位置，将Zn针碰触表面1‑5s；重复上述Zn针的碰触表面、抬起、移动位置的操作，形成若干个阵列排列的探测单元；最后取出范德华层状半导体基底、吹干，制得阵列式表面拉曼增强基底。本发明的制备方法操作简单，易于控制，通过探针离

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112577943 B (45)授权公告日 2021.08.10 (21)申请号 202011452709.7 (51)Int.Cl.

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