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焊盘结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法.pdfVIP

焊盘结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法.pdf

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    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种焊盘结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法。所述焊盘结构包括：焊盘本体，包括相对分布的上表面和下表面，所述下表面用于与芯片的内部电路电连接；沟槽，自所述上表面向所述焊盘本体的内部延伸，将所述焊盘本体分隔为测试区域和焊接区域；保护层，至少覆盖于所述沟槽的底壁。本发明分隔了测试区域与焊接区域，避免了因探针测试而导致的封装连线易失败的问题，同时避免了外界环境对所述测试区域与所述焊接区域之间的芯片的损伤，提高了半导体器件的良率和性能稳定性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112582364 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 20191

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