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氧化镓SBD的制备方法及结构.pdfVIP

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  • 2023-06-02 发布于四川
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氧化镓SBD的制备方法及结构.pdf

    本发明公开了一种氧化镓SBD的制备方法及结构，属于半导体制造技术领域，一种氧化镓SBD的制备方法，包括N+高浓度衬底，生长在N+高浓度衬底上的N‑低浓度氧化镓外延层，通过在N‑低浓度氧化镓外延层上淀积第一掩膜层和第二掩膜层，然后刻蚀形成凹槽，在凹槽上生长P型异质层，最后制备阴极和阳极。所述氧化镓SBD结构包括N+高浓度衬底，生长在N+高浓度衬底上的N‑低浓度氧化镓，在N‑低浓度氧化镓上设有凹槽，凹槽内有P型异质层，最后制备阴极和阳极。本发明提供的制备氧化镓SBD的方法，采用双层掩膜，通过湿法处理

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112614781 B (45)授权公告日 2023.01.17 (21)申请号 202011379689.5 H01L 29/872 (2006.01)

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