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本发明的各个实施例针对一种用于形成图像传感器的方法，其中器件层具有高晶体质量。根据一些实施例，沉积覆盖衬底的硬掩模层。对硬掩模层和衬底执行第一蚀刻以形成腔。执行第二蚀刻以去除来自第一蚀刻的晶体损伤并且使腔中的衬底横向凹进，使得硬掩模层悬于腔上方。形成衬于腔的牺牲层，穿过牺牲层对衬底执行毯式离子注入，并且去除牺牲层。外延生长中间层，中间层衬于腔并且具有位于硬掩模层下面的顶面，并且外延生长器件层，器件层填充中间层上方的腔。在器件层中形成光电探测器。本发明的实施例还涉及图像传感器。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582434 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202010868366.6
(22)申请日 2020.08.26
(30)优先权数据
62/908,00
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