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集成电路器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-02 发布于四川
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集成电路器件及其制造方法.pdf

    在一些实施例中，本发明涉及集成电路器件。晶体管结构包括通过栅极电介质与衬底分隔开的栅电极和设置在位于栅电极的相对侧上的衬底内的一对源极/漏极区域。下导电插塞设置为穿过下层间介电(ILD)层并且接触第一源极/漏极区域。覆盖层设置在下导电插塞正上方。上层间介电(ILD)层设置在覆盖层和下ILD层上方。上导电插塞设置为穿过上ILD层并且位于覆盖层正上方。本发明的实施例还涉及制造集成电路器件的方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112582407 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202011053000.X (22)申请日 2020.09.29 (30)优先权数据

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