- 1、本文档共41页,其中可免费阅读40页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供能够抑制集电极电流或漏极电流的路径的寄生电感或寄生电阻的增加的半导体装置。在基板配置有两列的晶体管列。两列的晶体管列的每列晶体管列由在第一方向上排列的多个晶体管构成,两列的晶体管列在与第一方向正交的第二方向上隔开间隔配置。在俯视时,在两列的晶体管列之间的区域配置有第一布线。第一布线与两列的晶体管列的多个晶体管的集电极或者漏极连接。在俯视时第一凸块与第一布线重叠,且配置在两列的晶体管列之间,并与第一布线连接。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582399 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202011063884.7
(22)申请日 2020.09.30
(30)优先权数据
2019-1793
文档评论(0)