原创力文档- 2
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- 2023-06-02 发布于四川
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提出了一种光电半导体器件(16)，包括：‑层堆(9)，其包括至少一个侧表面(9A)、第一主表面(9B)和第二主表面(90)；‑布置在第一主表面(9B)上的第一接触装置(12)，其被设置为用于电接触层堆(9)的第一半导体区域(4)；‑布置在第二主表面(90)上的第二接触装置(17)，其被设置为用于电接触层堆(9)的第二半导体区域(5)并具有辐射透射性；和‑布置在层堆(9)上的导电的边缘层(11)，其从第二接触装置(17)经由侧表面(9A)延伸至第一主表面(9B)，和‑布置在边缘层(11)和层堆(9
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116195079 A
(43)申请公布日 2023.05.30
(21)申请号 202180063491.2 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
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