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本申请公开了一种光探测器，包括依次层叠的衬底、主动层和介电质层；所述主动层的下方或下表面形成有第一掺杂区，所述主动层的上方或上表面形成有第二掺杂区；所述第二掺杂区与所述第一掺杂区的掺杂类型不同，构成PIN结构；所述介电质层包括光栅结构。本申请在光探测器的主动层入射面上方增加一光栅结构，通过导模共振增强效果将入射到主动层的光限制在主动层内，极大地增强了器件对入射光的吸收和转换，有效提高了光响应度；而且主动层可以做得很薄，实现更高的传输速率；另外，采用面入射方式，避免了偏振相关损耗的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582496 A
(43)申请公布日
2021.03.30
(21)申请号 20191
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