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本公开提供了一种用于形成超高密度集成电路系统(例如，诸如用于6TSRAM)的方法。该方法涉及应用双图案化曝光‑蚀刻‑曝光‑蚀刻(LELE)和使用间隔件工艺来缩小特征的临界尺寸。为了提高工艺容限，该方法通过修改布局并且将交叉耦合条带分割成两种颜色(例如，每种颜色对应于掩模蚀刻工艺)来实现双图案化技术。此外，实现间隔件工艺以缩小特征尺寸并且增加两个交叉耦合条带之间的金属对金属间距，以提高工艺容限和电气性能。这是通过在硬掩模中的开口之上沉积间隔件层，然后进行间隔件回蚀来实现的。因此，开口收缩达间隔件
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116195032 A
(43)申请公布日 2023.05.30
(21)申请号 202180061059.X (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所
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