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一种AlN单晶生长过程中低埚位防沉积的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-02 发布于四川
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一种AlN单晶生长过程中低埚位防沉积的方法.pdf

    本发明属于氮化铝晶体生长技术领域，具体涉及一种AlN单晶生长过程中低埚位防沉积的方法。本发明通过温场模拟设计了与坩埚尺寸相匹配的钨锥，所述钨锥由下方的圆柱部件和上方的圆台部件构成，所述圆柱部件底部半径与所述圆台部件的底部半径相同；所述钨锥高度为坩埚高度的2/5‑3/5，所述圆柱部件高度为坩埚高度的1/5‑1/4。将钨锥设置在坩埚底部中心位置，并将AlN原料填充于钨锥与坩埚之间，避免坩埚底部中心温度相对较低的区域与AlN粉料相接触，防止底部原料在坩埚底部中心位置沉积，使得坩埚便于清理，减少了原料浪

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115787076 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211485428.0 (22)申请日 2022.11.24 (66)本国优先权数据

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