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- 2023-06-02 发布于四川
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本发明公开了一种低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法,主要包括以下步骤:(1)粉体催化剂的制备;(2)金属基底表面清洗;(3)在保护性气氛下,对步骤(2)得到的金属基底进行退火处理;(4)引入气体碳源,同时用氙灯照射光催化剂表面,在低温条件下进行化学气相沉积;(5)步骤(4)结束后停止加热,快速降至室温即可获得石墨烯薄膜。相比于传统的化学气相沉积法制备石墨烯薄膜,本发明方法大幅降低了以甲烷等含碳物质为碳源、以铜等金属为生长基底的石墨烯化学气相沉积法生长温度,制备的产品均匀性较高,重复性好,适于单
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112575310 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202011355645.9
(22)申请日 2020.11.27
(71)申请人 重庆大学
地址 40
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