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本发明提出了一种晶圆的标识部位的加工方法及晶圆的制备方法,晶圆的标识部位的加工方法,包括:S100,将晶圆键合至玻璃载板;S200,采用隐形激光工艺对晶圆的预设部位进行激光改质,形成改质区域,改质区域与标识部位相对应;S300,至少保留改质区域与玻璃载板之间的键合连接,对晶圆与玻璃载板间的其余部分位置进行解键合;S400,分离晶圆和玻璃载板,使晶圆的改质区域部位滞留于玻璃载板,以在晶圆形成标识部位。本发明制备的晶圆的标识部位体积小,不会对晶圆的有效利用面积造成浪费。而且,较小的标识部位,不会影响
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116190261 A
(43)申请公布日 2023.05.30
(21)申请号 202211097560.4
(22)申请日 2022.09.08
(71)申请人 中晟鲲鹏光电半导体有限公司
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