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在一个示例中，一种装置包括：半导体衬底，包括前侧表面；第一光电二极管，用于产生第一电荷；第二光电二极管，用于产生第二电荷；势垒层，位于第一光电二极管和第二光电二极管之间，并且被配置为控制第二电荷从第二光电二极管到第一光电二极管的流动；以及漏极区域，用于存储第二电荷的至少第一部分和第一电荷。该装置还包括在第一光电二极管和漏极区域之间的第一沟道区域上方的前侧表面上的栅极，以控制第二电荷的至少第一部分和第一电荷向漏极区域的流动，以及第二沟道区域，以在第二光电二极管饱和时将第二电荷的至少第二部分从势垒层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112585756 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 201980054470.7 (74)专利代理机构 北京安信方达知识产权代理
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