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本发明涉及一种纳米锥形阵列结构及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)利用超快激光对基底进行加工，之后清洗得到中间基底；(2)将步骤(1)得到的中间基底进行等离子体刻蚀，得到所述纳米锥形阵列结构。本发明提供的方法，采用超快激光在表面制备微纳结构，在等离子体刻蚀过程中并利用微掩模效应在微纳结构区域的增强效果，即利用现有技术中缺陷制备了高深宽比的纳米锥阵列结构，该方法兼容性好、制备区域灵活可控，可极大提升纳米锥阵列结构的制备工艺精度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112591707 A
(43)申请公布日 2021.04.02
(21)申请号 202011482916.7
(22)申请日 2020.12.15
(71)申请人 南方科技大学
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