热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法.pdfVIP

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2023-06-02 发布于四川
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热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法.pdf

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本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、从而能够以最佳的退火温度实现热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法。该热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板(1)上形成牺牲层(21)的工序；(B)在所述牺牲层上形成由所述热电半导体组合物形成的热电转换材料层(3)的工序；(C)对所述热电转换材料层进行退火处理

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112602202 A (43)申请公布日 2021.04.02 (21)申请号 201980055211.6 (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所