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一种基于噪声消除的高增益宽频带低噪声放大器，由两部分构成，第一部分为放大器的第一级，是采用噪声消除技术的共源极放大器，其中包含三个NMOS晶体管，一个反馈电阻，一个负载电阻，一个隔直电容，输入匹配结构和输出匹配结构；第二部分为两级级联的共源共栅级放大器，该放大器的采用共源共栅极低噪声放大器，该结构由共源极连接的NMOS晶体管Q4和共栅极连接的NMOS晶体管Q5、负载、输入输出匹配结构构成；利用共源极放大器和噪声消除技术低噪声的特点，实现放大器的低噪声指标；利用共源共栅极放大器高增益高阻抗的特性，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112583361 A
(43)申请公布日
2021.03.30
(21)申请号 20191
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