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一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成栅极结构；形成第一介质层，所述第一介质层位于所述栅极结构的两侧，且所述第一介质层的顶部表面低于所述栅极结构的顶部表面；形成第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层的表面以及位于所述栅极结构的顶部两侧，且所述第二介质层的宽度小于所述第一介质层的宽度；去除所述第一介质层，以暴露出所述第二介质层下方的栅极结构的侧壁表面；形成源漏外延区，所述源漏外延区位于所述第二介质层的两侧以及所述第二介质层下方的栅极结构的两侧。本
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112582476 B
(45)授权公告日 2022.05.06
(21)申请号 202011432877.X H01L 29/06 (2006.01)
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