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铌酸锂半导体结构及其制备方法.pdfVIP

铌酸锂半导体结构及其制备方法.pdf

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    一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层、第二铌酸锂材料层和第三铌酸锂材料层。所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第二铌酸锂材料层与所述第一铌酸锂材料层间隔设置。所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第三铌酸锂材料层夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间。所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第二方向。所述第一方向与所述第二方向相反。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112582534 B (45)授权公告日 2021.12.17 (21)申请号 202011438154.0 (56)对比文件

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