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2023-06-02 发布于四川
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一种用于半导体量子计算的纯化硅衬底及其形成方法.pdf

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本发明公开了一种用于半导体量子计算的纯化硅衬底及其形成方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中外延纯化硅受衬底自然硅同位素成分的影响较大的问题。本发明的纯化硅衬底包括依次层叠的自然硅衬底、绝缘层和纯化硅层。本发明的形成方法包括提供一基础衬底，在基础衬底上外延形成纯化硅层，得到施主衬底；提供一自然硅衬底；在施主衬底和/或自然硅衬底上形成至少一层绝缘层；将施主衬底与自然硅衬底键合，基础衬底和自然硅衬底均位于表面，去除基础衬底或去除基础衬底和部分纯化硅层，得到纯化硅衬底。本发明的纯化硅衬底及其形成

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112582258 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202011323338.2 (22)申请日 2020.11.23 (71)申请人中国科学院微电子研究所

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