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本发明公开一种三维折线纳米线阵列垂直场效应晶体管的制备方法，包括：1）利用刻蚀技术在图形化衬底上刻蚀出三维台阶形状；2）在刻蚀有三维台阶的衬底上沉积质介质薄膜层后再次刻蚀使三维台阶附近异质侧壁暴露，然后利用选择性刻蚀在异质侧壁构造引导沟道；3）在异质侧壁构造的引导沟道内制备纳米级催化金属颗粒；4）在整个结构表面淀积覆盖与所需生长纳米线对应非晶半导体前驱体薄膜层；5）升高温度使纳米级催化金属颗粒引导沟道中由固态转变为液态，前端开始吸收非晶层，后端析出折线形晶态纳米线；6）以折线形晶态纳米线垂直部分
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112599418 B
(45)授权公告日 2022.04.22
(21)申请号 202011470043.8 H01L 29/06 (2006.01)
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