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- 2023-06-02 发布于四川
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本申请提供了一种SRAM存储单元版图及设计方法、电路、半导体结构、存储器，所述版图包括：衬底；沿第一方向延伸的至少一个有源区；沿第二方向延伸的至少一个栅极结构；第二方向垂直于第一方向；至少一个接触结构；其中，至少一个接触结构连接至少一个有源区中的两个相邻有源区，以及目标栅极结构；目标栅极结构属于至少一个栅极结构；目标栅极结构在衬底中的投影相交于至少一个有源区中除两个相邻有源区外的其他有源区在衬底中的投影。本申请能够减少连接线的使用，节约加工面积，提高集成电路的集成度；同时，简化加工工艺，减少低良
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115796103 A
(43)申请公布日 2023.03.14
(21)申请号 202111061849.6
(22)申请日 2021.09.10
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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