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本发明公开了一种阱内高压高精度多晶硅电阻及其制作方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：形成硅衬底；在所述硅衬底的上表面通过杂质扩散掺杂的方式形成第一厚度的辅助漂移区；在所述辅助漂移区的上表面再通过杂质扩散掺杂或淀积的方式形成漂移区；在所述漂移区的上表面形成第二厚度的外延层区域，并通过有源场区定义得到高压阱；在所述高压阱内生长多晶硅电阻。多晶硅电阻生长在高压阱中，电阻四周被绝缘介质包裹并封闭。封闭的电阻全绝缘，无漏电，不易受热膨胀，温度系数好且可以兼容集成在各种CMOS工艺中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582344 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202011466087.3 H01L 27/06 (2006.01)
(22)申请日 2
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