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- 2023-06-02 发布于四川
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本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，所该三维存储器结构包括半导体层，包括沿第一方向依次设置的核心区域、台阶区域及外围区域；底部选择栅堆叠结构，形成于所述半导体层上；介质支撑结构，位于所述台阶区域内，所述介质支撑结构依次贯穿所述底部选择栅堆叠结构和所述半导体层；存储栅堆叠结构，形成于所述底部选择栅极堆叠结构上；栅线间隙，沿所述第一方向延伸，所述栅线间隙依次贯穿所述存储栅堆叠结构和所述底部选择栅堆叠结构并延伸进入所述半导体层中。利用本发明，在基于栅线间隙蚀刻去除半导体牺牲层时介质支撑结构不会被
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112614848 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011392043.0
(22)申请日 2020.12.02
(71)申请人 长江
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