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2023-06-03 发布于四川
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一种绝缘体上应变锗锡硅衬底、晶体管及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种绝缘体上应变锗锡硅衬底、晶体管及其制备方法。一种绝缘体上应变锗锡硅衬底的制备方法，包括：在第一衬底上依次堆叠形成第一锗层、Ge1‑x‑ySnxSiy层、第二锗层，并且0≤x＜1，0＜y≤1，x+y≤1；去除第二锗层，在Ge1‑x‑ySnxSiy层的表面形成介质层，获得衬底A；在第二衬底上形成埋氧层，获得衬底B；将衬底A和衬底B键合，之后去除第一衬底、第一锗层。晶体管的制备方法：在绝缘体上应变锗锡硅衬底的Ge1‑x‑ySnxSiy层上制作栅极，并在栅极两侧的Ge1‑x‑ySnxSiy

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112635391 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011419129.8 H01L 29/786 (2006.01)

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