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本发明涉及一种双螺旋结构的双D型光纤微弱磁场传感器及其制作方法,属于光纤领域。本发明采用双光子飞秒激光直写技术,根据材料折射率和双螺旋结构的几何形状,建立3D打印模型,双螺旋结构的横截面为圆形,先在玻璃基底上确定好要打印双螺旋结构的位置和轮廓,然后用第一种材料在双螺旋结构打印圆形截面的1/2圆,打印完毕后清洗多余部分材料,再次利用双光子激光直写装置打印第二种材料作为整个圆形截面的另外1/2,打印完毕后清洗多余部分材料。本发明所提出的双螺旋结构的双D型光纤微弱磁场传感器及其制作方法与现有的磁场传感
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112611991 B
(45)授权公告日 2022.04.22
(21)申请号 202011522761.5 (56)对比文件
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