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鳍状场效晶体管装置及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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鳍状场效晶体管装置及其形成方法.pdf

    本发明实施例提供一种鳍状场效晶体管装置及其形成方法，鳍状场效晶体管装置的形成方法包括提供基板，其具有栅极结构于基板的第一侧上；形成凹陷，且凹陷与栅极结构相邻；以及形成具有掺杂的第一半导体层于凹陷中，第一半导体层为非顺应性，且第一半导体层衬垫凹陷并自凹陷底部延伸至凹陷顶部。此方法亦包括形成具有掺杂的第二半导体层于凹陷中及第一半导体层上，且第二半导体层中掺杂的第二浓度大于第一半导体层中掺杂的第一浓度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109216195 A (43)申请公布日 2019.01.15 (21)申请号 20171

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