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一种SiC基异质集成氮化镓薄膜与HEMT器件的制备方法.pdfVIP

一种SiC基异质集成氮化镓薄膜与HEMT器件的制备方法.pdf

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    本申请公开了一种SiC基异质集成氮化镓薄膜与HEMT器件的制备方法，包括获取SiC晶圆；在所述SiC晶圆的Si面上形成SiO2保护层；对所述SiC晶圆进行不同能量的多次氢离子注入；去除所述SiO2保护层；对所述SiC晶圆进行退火处理；在所述SiC晶圆的Si面上形成氮化镓薄膜；在所述氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件。本申请的SiC基异质集成氮化镓薄膜与HEMT器件的制备方法通过在SiC衬底中引入富氢层对SiC衬底进行改性，实现利用产业成熟、低成本的高掺杂SiC衬底代替传统昂贵的高纯半绝缘SiC衬底

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112635323 B (45)授权公告日 2021.12.28 (21)申请号 202011477988.2 CN 107326435 A

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