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本发明提供一种三维NAND存储器及制备方法，该方法包括：提供基底，并在基底上形成由介质层和牺牲层交替堆叠的叠层结构，叠层结构包括核心存储区；于核心存储区的叠层结构中形成贯穿叠层结构的沟道孔及伪沟道孔阵列，其中，伪沟道孔阵列位于沟道孔的两侧，每侧的伪沟道孔阵列包括呈多排排布的多个伪沟道孔，相邻排的伪沟道孔彼此交错设置；于沟道孔及伪沟道孔阵列中形成存储器膜及沟道层。通过将伪沟道孔阵列设置为多排，且相邻排的伪沟道孔彼此交错设置，从而使伪沟道孔阵列中的叠层结构不能连续且直接延续至沟道孔区域，以破坏直接且
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112635481 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011524984.5
(22)申请日 2020.12.22
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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