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一种烧结钐钴永磁体的玻璃熔接方法.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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一种烧结钐钴永磁体的玻璃熔接方法.pdf

    本发明涉及一种烧结钐钴永磁体的玻璃熔接方法。选取两个未经表面电镀处理的烧结钐钴永磁体，加工成所需形状；分别对两个磁体的熔接面进行喷砂处理，依次用蒸馏水、丙酮清洗，干燥；将玻璃粉制成浆料涂覆在一个烧结钐钴永磁体的熔接面，涂敷层干燥后，将另一个一个烧结钐钴永磁体的熔接面放在涂敷层上；将两块磁体放于热处理炉中，加热至熔接温度并保温一定时间后，降温至室温，完成钐钴永磁体的熔接；所述熔接温度低于550℃。本发明提出的方法可以在550℃温度以下短时间快速完成烧结钐钴永磁体的熔接，且熔接体抗弯强度为80‑90

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112645614 B (45)授权公告日 2022.06.14 (21)申请号 202011540919.1 (51)Int.Cl.

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