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本发明公开了一种侧墙的工艺方法，所述的侧墙包含第一层侧墙及第二层侧墙，所述的侧墙包围在栅极两侧，其中第一层侧墙贴近栅极，第二层侧墙位于最外层；首先栅极上淀积一层氮化硅层并刻蚀形成第一层侧墙，再淀积一层氧化硅层，然后再淀积第二层氮化硅层并刻蚀形成第二层侧墙。本发明在两层氮化硅层侧墙之间增加一层氧化硅层作为隔离，在进行第二层侧墙刻蚀时能利用氮化硅与氧化硅在湿法刻蚀工艺中的高选择比，作为隔离的氧化硅层能保护第一层氮化硅层侧墙不被腐蚀，避免产生横向钻蚀的现象。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112635312 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011414336.4
(22)申请日 2020.12.07
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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