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非易失性存储器及其制造方法.pdfVIP

非易失性存储器及其制造方法.pdf

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    本发明提供一种非易失性存储器，包括导体层、存储元件以及选择器。选择器位于存储元件与导体层之间，并与其电性连接。选择器包括金属填充层、阻障层以及整流层。金属填充层电性连接存储器。阻障层位于金属填充层的侧壁与底面。整流层包覆于阻障层周围。整流层包括第一部分与第二部分。第一部分位于所述金属填充层底面的阻障层与导体层之间。第二部分与金属填充层将金属填充层的侧壁上的阻障层夹于其间。第一部分比第二部分具有较多的金属离子的扩散路径。选择器具有整流层可以做为限流元件，避免产生潜行电流以及一晶体管多电阻(1TnR

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112635660 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 20191

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