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本发明涉及一种碲锌镉晶体生长方法，包括如下步骤：S1，选用由上至下依次分布有材料补充区域、引晶区域以及生长区域的第一安瓿，并将碲锌镉多晶料装入至所述安瓿的材料补充区域中；S2，将装好了所述碲锌镉多晶料后的安瓿封装在第二安瓿中；S3，封装好后进行凝固工艺，使所述碲锌镉多晶料填满所述引晶区域以及所述生长区域；S4，接着将所述第一安瓿从所述第二安瓿中取出，并将所述第一安瓿放入到第三安瓿中进行封装，所述第三安瓿中设有金属镉。还提供一种碲锌镉晶体生长装置。本发明的生长方法采用垂直梯度法自上而下完成碲锌镉晶
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112647133 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011486859.X
(22)申请日 2020.12.16
(71)申请人 武汉高芯科技有限公司
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