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本发明公开了一种半导体器件的背金工艺，包括以下步骤：1)在半导体器件背面溅镀第一金属薄层；2)在第一金属薄层上涂覆光阻剂，得到光阻层；3)对光阻层依次进行曝光和显影，使第一金属薄层表面形成未被光阻层覆盖的电镀区和被光阻层覆盖的蚀刻区；4)在所述电镀区进行溅镀和/或电镀，得到第二金属层；5)去除所述蚀刻区上的光阻层；6)通过蚀刻去除所述蚀刻区的第一金属薄层。本发明进行蚀刻时，只需蚀刻第一金属薄层，因而蚀刻厚度大大减小，更容易管控蚀刻制程参数，大大减少或避免出现蚀刻不干净而需要进行补蚀刻的情况，同时
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112652523 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011517395.4 C23C 14/18 (2006.01)
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