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- 2023-06-03 发布于四川
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本发明提供了一种掩膜版、存储器及存储器的制造方法，掩膜版包括沿着第一方向延伸的第一线形图案及沿着第二方向延伸的第二线形图案，由此在掩膜版之间的套准时，可以在第一方向和第二方向两个方向上进行套准，从而提高了套准精度。进一步的，掩膜版能够用来形成存储节点接触和电容器，即存储器制造中，两个相连接的结构能够用图案相同的掩膜版制造，由此可以进一步的提高前后两个步骤中掩膜版的套准精度，从而也提高了所形成的存储器的质量和可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 107870508 A
(43)申请公布日
2018.04.03
(21)申请号 20171
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