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发光二极管及其制造方法.pdfVIP

发光二极管及其制造方法.pdf

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    本申请主要是涉及发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底；外延层设置于衬底的一侧主表面上，在外延层背离衬底的一侧沿外延层边缘设置有外露其第一半导体层的凹槽，凹槽具有朝向外延层内部的内侧槽壁及朝向外延层边缘的外侧槽壁；第一电流扩展线设置于内侧槽壁和外侧槽壁之间，并与第一半导体层电连接。本申请提供的发光二极管通过在外延层背离衬底的一侧沿外延层边缘设置外露第一半导体层的凹槽，并将与第一半导体层电连接的第一电流扩展线也设置在凹槽内，使得第一电流扩展线能够被外延层内外夹设，以有效地避免第一电流扩展线在

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112635633 B (45)授权公告日 2022.06.24 (21)申请号 202011632832.7 H01L 33/44 (2010.01)

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