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本发明公开了一种金属辅助控制CVD生长单晶金刚石位错延伸的结构及其制备方法和应用，所述结构包括单晶金刚石衬底和金属‑金刚石外延薄膜。其中，金属‑金刚石外延薄膜利用CVD同质外延金刚石过程中通入极少量高熔点金属前驱体，在微波等离子体的作用下，金属原子与缺陷处C原子的结合，改变缺陷处C原子的排列方式，使得C原子回到金刚石晶格的格点位置，抑制线缺陷向后续薄膜的延伸，在此基础上外延生长金刚石，提高了晶体质量，为减少金刚石薄膜缺陷密度提供了新的方法。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112647127 B
(45)授权公告日 2022.05.20
(21)申请号 202011272924.9 C30B 25/16 (2006.01)
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