原创力文档- 1、本文档共12页，其中可免费阅读11页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法，其中，本发明通过在室温下先沉积非晶态的SiC并注入掺杂质，后再利用高温热扩散渗入SiC基板，这过程不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，损坏程度小，同时改善欧姆接触特性。而MPS二极管、MOSFET等功率器件在制备过程中也采用上述离子注入的方法，不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，不损坏SiC基板，改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。同时改善阳极金属和网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112635307 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202110076567.7 H01L 21/336 (2006.01)
文档评论（0）