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- 2023-06-03 发布于四川
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本公开提供了一种太阳电池及太阳电池的制备方法。该太阳电池包括半导体基底、第一重掺杂层、正电极、发射极层和背电极；半导体基底为第一类型掺杂，半导体基底具有相对的正面和背面；第一重掺杂层和正电极设置于半导体基底的正面，第一重掺杂层的掺杂浓度高于半导体基底的掺杂浓度，第一重掺杂层设置于正电极和半导体基底之间，发射极层为第二类型掺杂，发射极层设置于背电极和半导体基底之间。该太阳电池将PN结设置于背面，并在正面设置高低结，能够抑制光生载流子迁移至背面发生的复合，同时第一重掺杂层还能够提高正电极与半导体基底
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115775839 A
(43)申请公布日 2023.03.10
(21)申请号 202211547103.0
(22)申请日 2022.12.05
(71)申请人 天合光能股份有限公司
地址 213
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