用于感兴趣的半导体材料在硅衬底上的异质集成的工艺.pdfVIP

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2023-06-04 发布于四川
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本发明涉及一种用于感兴趣的半导体材料在硅衬底(1)上的异质集成的工艺，包括：‑结构化所述衬底的步骤，其包括在所述硅衬底(1)的表面上产生生长掩模(2)的步骤，所述生长掩模包括多个掩模图案(20)，两个掩模图案被其中暴露出所述硅衬底(1)的沟槽(21)分隔开；‑形成由2D材料制成的二维缓冲层(5)的步骤，所述缓冲层在其自由表面上没有侧键，并且选择性地形成在至少一个沟槽(21)中的[111]取向的硅平面(3)上，形成缓冲层的所述步骤在所述结构化步骤之后执行；‑在所述缓冲层(5)上形成感兴趣的半导体材

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670157 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011095806.5 (22)申请日 2020.10.14 (30)优先权数据 1911447

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