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- 2023-06-04 发布于四川
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一种半导体装置及其制造方法，根据本公开的一方面，在制造半导体装置的方法中，形成下层图案以及上层图案，下层图案包括具有第一间距的第一周期性图案，上层图案包括具有不同于第一间距的第二间距的第二周期性图案。第一周期性图案在平面图中至少部分地重叠第二周期性图案。通过使用电子束获得下层图案以及上层图案的叠纹图案，且从叠纹图案获得下层图案以及上层图案之间的叠对误差。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116206954 A
(43)申请公布日 2023.06.02
(21)申请号 202310067338.8
(22)申请日 2023.01.16
(30)优先权数据
17/587,757 2022
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