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本发明提供的紫外/红外双色探测器，包括：自下而上依次层叠设置的衬底层、BN缓冲层、BN三维材料层、插入层及BN二维材料层，所述BN三维材料层及所述BN二维材料层上设有电极，所述BN三维材料层可探测紫外光，所述BN二维材料层可探测红外光，其中利用三维氮化硼材料依靠其宽禁带性能实现对紫外光的响应，利用二维氮化硼材料可与红外光发生共振，产生声子极化子，影响材料电导率，从而实现对红外光的探测。本发明提供的氮化硼紫外/红外双色探测器打破了宽禁带半导体红外透过的传统观念，为实现宽禁带半导体的红外探测奠定了理
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112670357 A
(43)申请公布日 2021.04.16
(21)申请号 202011608657.8
(22)申请日 2020.12.30
(71)申请人 中国科学院长春光学精密机械与物
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