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2023-06-04 发布于四川
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一种发光二极管及其制造方法.pdf

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本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：封装衬底，封装衬底包括封装板体以及设置于封装板体的一侧主表面上的反射镜；外延单元，外延单元以键合方式固定于封装衬底的主表面上，且包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；其中，外延单元在封装板体上的投影与反射镜在封装板体上的投影至少部分重叠，反射镜用于反射外延单元所产生的光线。通过上述方式，本申请对键合工艺的对准精度并无严格要求，降低了键合难度，同时降低发光二极管的制造成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670391 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011626405.8 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人深圳第三代半导体研究院

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