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本发明公开了一种高速光电探测器结构，其外延片包括InP衬底，及在InP衬底上由下至上依次生长的下欧姆接触层、下窗口层、吸收层、上窗口层、上欧姆接触层，所述外延片设置为台面结构，所述台面结构的一个侧面为光入射面，所述入射面上设有减反射膜，远离所述减反射膜的另一个侧面为光反射面，所述光反射面上设有高反射膜。本发明光探测器的光入射方向和漂移电场方向相垂直，吸收层0.1~3um，载流子的漂移快，带宽高；本发明在提高内量子效率的同时，进一步缩小器件尺寸，提高器件带宽，平衡整个吸收层的光电流均匀分布，避免因
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112687751 B
(45)授权公告日 2022.06.21
(21)申请号 202011590102.5 C23C 14/08 (2006.01)
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