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本发明涉及一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，本发明包括以下步骤：1)将多晶硅电阻设计成矩形，将金属连线设置在矩形多晶硅电阻两侧；2)使用激光将多晶硅电阻金属连线未连接的多晶硅电阻两侧边缘进行修调；3)在多晶硅电阻上进行粗调；4)在多晶硅电阻上进行细调。本发明对多晶硅电阻两侧边缘进行激光修调，可减小低阻区，改善了粗调和精调的激光修调效果，达到对多晶硅电阻的激光精确修调，降低了流片成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687558 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011376100.6
(22)申请日 2020.12.05
(71)申请人 西安翔腾微电子科技有限公司
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