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一种金属栅器件的制备方法.pdfVIP

一种金属栅器件的制备方法.pdf

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    本发明提供一种金属栅器件的制备方法，通过在栅介质层表面的形成具有掺杂浓度的牺牲层，且所述掺杂浓度自所述牺牲层表面向所述牺牲层底面递增或递减，从而在刻蚀所述牺牲层的过程中，所述刻蚀工艺的工艺菜单在刻蚀过程中保持不变。本发明通过刻蚀菜单固定的刻蚀工艺就可以实现从上至下刻蚀速率递增或递减，从而，提高了第一开口的片内均匀性，保障后续形成的第二开口的片内均匀性，具有显著的意义。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670172 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011589608.4 (22)申请日 2020.12.29 (71)申请人 上海集成电路装备材料产业创新中

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