一种低热阻氮化镓高电子迁移率晶体管外延材料制备方法.pdfVIP

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2023-06-04 发布于四川
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一种低热阻氮化镓高电子迁移率晶体管外延材料制备方法.pdf

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本发明公开了一种低热阻氮化镓高电子迁移率晶体管外延材料制备方法，属于半导体外延材料技术领域。该方法利用高温化学气相淀积设备对碳化硅衬底表面进行高温刻蚀，使衬底表面呈现可控原子级台阶形貌，再利用金属有机物化学气相淀积技术在碳化硅原子台阶上进行原子级氮化铝成核，通过间歇供源的方式使以上氮化铝核点快速横向合并及层状沉积，从而实现高质量纳米级氮化铝成核层生长，并以该氮化铝为基板制备氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明可以将氮化铝成核层厚度大幅减薄，可有效减小氮化铝成核层引入的界面热阻，有助于改善氮化镓功率器

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112670161 B (45)授权公告日 2022.07.22 (21)申请号 202011537789.6 H01L 29/778 (2006.01) (22)申请日 2020.1

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