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本发明涉及一种高效率封装的IGBT模块。其包括封装底板、设置于所述封装底板上的模块第一覆铜陶瓷板以及设置于所述封装底板上的模块第二覆铜陶瓷板，在模块第一覆铜陶瓷板上设有第一IGBT芯片单元体，在模块第二覆铜陶瓷板上设有第二IGBT芯片单元体；第一IGBT芯片单元体、第二IGBT芯片单元体能与封装底板上的功率端子组、控制端子板组适配连接，以连接成所需的IGBT拓扑电路；功率端子组与模块第一覆铜陶瓷板、模块第二覆铜陶瓷板适配电连接，且功率端子组内的功率端子体与模块第一覆铜陶瓷板和/或模块第二覆铜陶瓷
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112670276 A
(43)申请公布日 2021.04.16
(21)申请号 202011546565.1
(22)申请日 2020.12.24
(71)申请人 芯长征微电子制造（山东）有限公司
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