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本公开涉及用于制造太阳能电池的方法，包括：提供由半导体材料构成的基底，基底具有第一类型；通过扩散技术在基底的正面形成具有第二类型的第一半导体区域，第二类型与第一类型相反；在基底的背面提供钝化膜；对基底的背面进行激光开槽，使得在钝化膜处形成多个开槽区域，其中在每个开槽区域的宽度内包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑对开槽区域进行开槽的部分，第二部分表示不以激光光斑对开槽区域进行开槽的部分；在基底的正面提供正电极，使得正电极与具有第二类型的第一半导体区域接触；以及述基底的背面提供
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112670368 A
(43)申请公布日
2021.04.16
(21)申请号 20191
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